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AXD 固态硬盘存储器完全介绍

--AXD 固态硬盘存储器应用介绍

供稿:深圳市安信达存储技术有限公司 2011/3/29 10:16:00

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     简称:Cache
  标准:Cache Memory
  中文:高速缓存
  高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种,其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器(CPU)处理数据时,它会先到高速缓存中寻找,如果数据因先前已经读取而暂存其中,就不需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快,CPU若要连续存取内存的话,必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存,通称为L1高速缓存(Memory)。高速缓存、双倍数据传输率、动态随机存储器,安信达IDE DOM电子硬盘, SLC串口高速固态电子硬盘DOM电子硬盘DOC电子盘,固态硬盘L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。

      简称:DDR
  标准:Double Date Rate
  中文:双倍数据传输率
  DDR系统时脉为100或133MHz,但是数据传输速率为系统时脉的两倍,即200或266MHz,系统使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加,因此它的传输效能比同步动态随机存取内存(SDRAM)好。
  简称:DIMM
  标准:Dual in Line Memory Module
  中文:双直列内存条
  DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块,它实际上是一种封装技术。在PCB板的一边缘上,每面有64叫指状铜接触条,两面共有168条。DIMM可以分为3.3V和5V两种电压,这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种,目前比较常见的是3.3V含缓冲器类型,而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各种参数,高速缓存、双倍数据传输率、动态随机存储器,安信达IDE DOM电子硬盘, SLC串口高速固态电子硬盘DOM电子硬盘DOC电子盘,固态硬盘让芯片组(Chipset)达到最佳状态。
  简称:DRAM
  标准:Dynamic Random Access Memory
  中文:动态随机存储器
  一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种,差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新,才能维系数据保存,SRAM的数据则不需要刷新过程,在上电期间,数据不会丢失。
  简称:ECC
  标准:Error Checking and Correction)
  在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差,也可以作双位或多位的误差核对与改正。
  简称:EDO DRAM
  标准:Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
  中文:EDO动态随机存储器
  EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM,这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取效能的存储器,为了提高EDO DRAM的读取效率,EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期CAS#之下降边缘,而EDO DRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。
  简称:EEPROM
  标准:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
  中文:电子抹除式只读存储器
  非挥发性存储器。电源撤除后,储存的信息(Data)依然存在,在特殊管脚上施加电压,同时输出相应命令,就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中,存储用户设置的参数。
  这种存储器支持再线修改数据,每次写数据之前,必须保证书写单元被擦除干净,写一个数据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。
  简称:EPROM
  标准:Erasable Programmable Read-Only Memory
  中文:紫外擦除只读存器
  非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容,非常适合用作硬件当中的基本输出入系统(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。
  这种存储器不支持再线修改数据。
  简称:Flash
  标准:Memory
  中文:闪烁存储器
  非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再线修改数据,写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。
  Flash应用于大容量的数据和程序存储,如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。
  简称:FeRAM
  标准:Ferroelectric random access memory
  中文:铁电存储器
  相对于其它类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM(static random access memory)和动态存储器DRAM (dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好,可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
  非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器(ROM)技术。 正如你所猜想的一样,被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作,而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止)、EEPROM和Flash。高速缓存、双倍数据传输率、动态随机存储器,安信达IDE DOM电子硬盘, SLC串口高速固态电子硬盘DOM电子硬盘DOC电子盘,固态硬盘, 这些存储器不仅写入速度慢,而且只能有限次的擦写,写入时功耗大。
  铁电存储器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。
  简称:MRAM
  标准:Magnetoresistive Random Access Memory
  中文:磁性随机存储器
  磁性随机存储器是正在开发阶段的,基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel junction-MTJ)技术的固态存储介质,属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器,可达1015,读写时间可达70nS。
  简称:RAM
  标准:Random Access Memory
  中文:随机存储器
  随机存取内存,是内存(Memory)的一种,由计算机CPU控制,是计算机主要的储存区域,指令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存,它帮助中央处理器 (CPU ) 工作,从键盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令,帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅助内存 (Auxiliary Memory) ,以便日后仍可取用,也能主动把资料送到输出装置,例如打印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度,RAM越大,所能容纳的资料越多,CPU读取的速度越快。
  简称:RDRAM
  标准:Rambus DRAM
  中文:Rambus动态随机存储器
  这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ,提供了1000Mbps的传送速率,作业时不会间断,比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速,当然价格比要DRAM贵。虽然RDRA无法完全取代现有内存,不过因为总线 (BUS) 速度的需求,可以取代DRAM与静态随机存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ,制造商展示的RDRAM则可达600MHz,内存也只有8或9位 (bit ) 长,若将RDRAM并排使用,可以大幅增加频宽 (Bandwidth) ,将内存增为32或64位。
  简称:ROM
  标准:Read Only Memory
  中文:只读存储器
  只读存储器,这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变,计算机与使用者只能读取保存在这里的指令,和使用储存在ROM的数据,但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一个非挥发性芯片上,也就是说,即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存,所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令,开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试,在最初的测试中,检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。
  简称:SDRAM
  标准:Synchronous Dynamic RAM
  中文:同步动态随机存储器
  SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步,所以可以比EDO 动态记忆模块 (EDO DRAM ) 的速度还快,采用3.3V电压(EDO DRAM为5V),168个接脚,还可以配合中央处理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ,而有66与100MHz不同的规格,100MHz的规格就是大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。
  简称:SIMM
  标准:Single In-Line Memory Module
  中文:单直列内存模块
  内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上,当时的接脚主要为30个,可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line),一次资料存取 (Access)为32个字节,所以分为四条一组,因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为72Pins,不过只能提供32字节的工作量,但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite),因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。
  简称:SRAM
  标准:Static Random Access Memory
  中文:静态随机存储器
  SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同,每个位使用6个晶体管(transistor)组成,不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失,其存取时间较短控制电路简单,但制造成本较高,单片难以做到DRAM那样容量。
  简称:VCM SDRAM
  标准:Virtual Channel Memory SDRAM
  中文:虚拟信道存储器
  1999年由于SDRAM在市场上大为缺货,而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商

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