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锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的研究

供稿:data_process_10 2011/7/24 10:09:00

0 人气:236

  • 关键词: 锗-雪崩光电二极管; 微带电路; 取样;
  • 摘要:基于P+n平面结构Ge-APD的工作原理,介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法.

基于P+n平面结构 Ge-APD的工作原理,介绍了采 用Ge-APD作为光电转换器件,并配以微带 电路和取样技术 来测量Ge-APD对快速 光脉冲响应时间的方法.

更多内容请访问 data_process_10(http://home.gongkong.com/profile/?uid=2011050108230700001)

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