非易失性存储器技术的比较

良好的设计是成功制造非易失性存储器产品的重要关键，包括测试和验证设备性能以及在制造后一次在晶圆和设备级别进行质量控制测试。新兴的非易失性存储器技术的制造和测试，这些技术将支持物联网，人工智能以及先进的网络开发和商业化，但首先让我们看一下当前存储器和新兴的非易失性存储器技术的特点，并了解为什么MRAM能够立足出来。
 
非易失性存储器技术的比较下表1比较了各种新兴的非存储器技术与已建立的存储器（SRAM，DRAM，NOR和NAND闪存）1的一些重要特性。
 

 
相变存储器，例如英特尔的光电存储器，比动态随机存取存储器小(因此密度更大)，虽然没有三维与非闪存那么大，但其性能介于动态随机存取存储器和与非闪存之间。这就是为什么Optane在NVMe固态硬盘和计算机内存总线的内存中销售，以提供比NAND闪存更高性能的存储层，或者在计算应用中增加DRAM内存。

铁电随机存取存储器(FRAM)和电阻随机存取存储器(RRAM)，就像独立的MRAM一样，多年来一直被用于特殊领域。FRAM的独立存储器一直是低密度产品，但最近关于使用氧化铪的特殊相作为铁电存储器的发现给了这项技术更广泛应用的希望。电阻存储器(包含许多不同的电阻技术)有望继续扩展到非常小的存储器尺寸，并可用于嵌入式存储器应用。然而嵌入式和独立非易失性新兴存储器最有希望的可能是MRAM。