本文根据IGBT驱动光耦特性总结了驱动电路的设计要求。采用PC929设计了一种简单、实用的IGBT驱动电路,分析了保护电路的性能。进行的正常开通关断实验和故障保护实验表明,该电路可满足IGBT驱动的要求,并具有可靠的保护功能。[查看详情]
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本文在分析三相电压型 PWM 整流器工作原理的基础上,建立了dq 同步旋转坐标系下三相电压型PWM 整流器的数学模型,推导了一种三相电压型PWM 整流器前馈解耦控制策略,设计了电流内环、电压外环的双闭环控制策略。该控制策略能有效地抑制网侧输入谐波电流,得到稳定的直流输出电压,同时还具有控制简单、控制精度高等优点。仿真和实验结果验证了该控制策略的正确性和有效性,系统具有良好的稳态特性和动态特性。由于控制简单、易于实现,该控制方法具有一定的实用价值。[查看详情]
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IGBT在应用中要解决的主要问题就是如何在过流、短路和过压的情况下对IGBT实行比较完善的保护。过流故障一般需要稍长的时间才使电源过热,因此对它的保护都由主控制板来解决。过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt在寄生电感上产生了较高的电压,这需要用缓冲电路来钳制,或者适当降低关断的速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏IGBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由驱动电路或驱动器立刻加以保护。 因此驱动器的短路保护功能设计的是否完善,对电源的安全运行至关重要。拿到一个驱动电路,使用前先测试一下它的短路保护功能是否完善,是很有必要的。本文介绍两种测试方法。[查看详情]
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LED的发光强度及发光效率的提高主要取决于采用的半导体材料及其工艺技术的发展。早期的LED主要用GaAs、GaP(二元素半导体材料)和GaAsP(三元素半导体材料),1994年左右采用AlInGaP(四元素半导体材料)后,其发光强度及发光效率有很大的提高。另外,在工艺技术上采用在GaAs衬底上用AlInGaP材料生产的红光、黄光LED及在SiC衬底上用InGaN材料生产的绿光、蓝光LED,在发光强度及发光效率上有较大的改进。[查看详情]
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本文介绍了电压互感器,电流互感器的应用,供大家参考。[查看详情]
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在采用DMD显示器作为终端显示设备的前提下,以现场可编程门阵列(FPGA)为基础、以基于像素的并行传输方式为核心的计算机防视频信息泄漏系统能实现多个像素的同时传输,接收方极难从接收到的辐射信息中分辨出各像素的显示顺序,也就不能复现信息,从而有效地防止了视频信息被截获,增强了信息安全性。[查看详情]
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本文从无源互调的基本概念入手,解释为什么无源互调干扰越来越受到重视,然后具体阐述基站现场的无源互调测试与定位解决方案,最后分享用安立公司PIM Master在基站现场测试中的一些典型案例与结果分析。[查看详情]
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通信电源中还必须设置电流检测与过流保护电路,并要求其动作灵敏、快速、可靠。通信电源中被检测的电流既有直流又有交流,若用电阻直接取样检测功率损耗大,且输入输出没有隔离,而用电流互感器一般只能检测交流。JCE30-XP电流传感器可以克服上述不足,很适合用做通信电源的电流检测和过流保护,并且在低温条件下可以正常工作,温飘低[查看详情]
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针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统。采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体材料生长。同时采用W inCC组态软件设计上位监控系统。经过近一年运行,MOCVD控制系统运行状况良好,控制系统具有高可靠性、抗干扰能力强、控制精度高等特点,满足系统控制要求,保证了材料生长顺利进行。[查看详情]
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