经过超过八年的MRAM研发,EverspinMR2A16A是第一款4MbitMRAM商业设备。该器件采用256Kx16位配置(图1),并具有异步设计,带有标准的芯片,写入和输出使能引脚。
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MRAM
入网时间:2020-09-15
磁阻RAM是一种非易失性存储技术,可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。MRAM适用于具有简历播放功能的娱乐应用程序。掉电期间,指示播放媒体时间戳的书签会快速存储在非易失性MRAM中。
NRAM具备众多优点:可以DRAM的速度提供非易失性,具有超越DRAM芯片的可扩展性和对闪存的超强耐久性的潜力。它比基本上全部新起存储系统(PCM,MRAM和ReRAM)都更贴近通用性存储器。
在非易失性存储器中,当降至40nm以下时,嵌入它的成本将变得非常高,因此可能最终会在内部使用更多的SRAM,但随后将NVM委托给外部设备。
NRAM具备众多优点:可以DRAM的速度提供非易失性,具有超越DRAM的可扩展性和对闪存的超强耐久性的潜力。它比基本上全部新起存储系统(PCM,MRAM和ReRAM)都更贴近通用性存储器。