FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3,而铁电RAM的待机/睡眠电流规与EEPROM的待机/睡眠电流规差不多。[查看详情]
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一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间,以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时,会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢[查看详情]
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在SRAM存储器中,QDRSRAM系列可提供世界上任何形式的存储器中最高的性能。QDRSRAM专门为突发随机访问而构建。借助专用于读写的端口,QDR存储器非常适合平衡的读写操作(如订单簿管理)。[查看详情]
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根据不同的电池技术,ECU也需要具备可编程能力。系统还要具备监控短期和长期电池性能的能力。另外高达每秒60次的短期监控独特要求使具有高耐久性的CypressFRAM成为应用程序的理想选择。[查看详情]
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MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;[查看详情]
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NOR闪存广泛用作FPGA的配置设备。FPGA在工业和通信及汽车ADAS应用中的使用取决于NORFlash的低延迟和高数据吞吐量特性。快速启动时间要求的一个很好的例子是汽车环境中的摄像头系统。[查看详情]
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MRAM技术的进一步改进可以从根本上改变嵌入式系统的体系结构。MRAM有潜力分别取代嵌入式MCU中用于数据存储和程序存储器的RAM和闪存。MRAM有望替代两者,并允许使用单内存架构[查看详情]
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经过超过八年的MRAM研发,EverspinMR2A16A是第一款4MbitMRAM商业设备。该器件采用256Kx16位配置(图1),并具有异步设计,带有标准的芯片,写入和输出使能引脚。[查看详情]
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非易失性使用普通的易失RAM很简单。上电时必须将其初始化为一个已知,然后可以根据需要对其进行写入和读取。[查看详情]
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磁阻RAM是一种非易失性存储技术,可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。MRAM适用于具有简历播放功能的娱乐应用程序。掉电期间,指示播放媒体时间戳的书签会快速存储在非易失性MRAM中。[查看详情]
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