Nandflash是flash存储器的其中一种,Nandflash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。[查看详情]
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内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少,但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的,一旦没有持续的电力,所存储的数据就会立即消失.[查看详情]
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MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以无限次地重复写入。[查看详情]
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FRAM存储器的三大优势分别是高速写入、耐久性以及低功耗。与EEPROM对比,FRAM存储器写入次数寿命高达10万亿次,而EEPROM芯片却仅有百万次(10^6)。[查看详情]
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无需ERR引脚的赛普拉斯SRAM可以像传统SRAM一样在系统中连接。对于具有ERR选项的SRAM,系统设计人员需要在系统中正确连接ERR引脚。[查看详情]
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FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3,而铁电RAM的待机/睡眠电流规与EEPROM的待机/睡眠电流规差不多。[查看详情]
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一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间,以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时,会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢[查看详情]
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在SRAM存储器中,QDRSRAM系列可提供世界上任何形式的存储器中最高的性能。QDRSRAM专门为突发随机访问而构建。借助专用于读写的端口,QDR存储器非常适合平衡的读写操作(如订单簿管理)。[查看详情]
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根据不同的电池技术,ECU也需要具备可编程能力。系统还要具备监控短期和长期电池性能的能力。另外高达每秒60次的短期监控独特要求使具有高耐久性的CypressFRAM成为应用程序的理想选择。[查看详情]
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MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;[查看详情]
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