利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量探头的位置，即可对IGBT并联的续流二极管（即FRD）的相关参数进行测量与评估。
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IGBT（绝缘栅双极晶体管）是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选。作为少数载流子器件，IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性，同时拥有与MOSFET十分相的栅极结构，能实现轻松控制。
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IGBT
入网时间：2022-04-08
制作一颗硅晶圆需要的半导体设备大致有十个，它们分别是单晶炉、气相外延炉、氧化炉、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、离子注入机、引线键合机、晶圆划片机、晶圆减薄机。
IGBT作为功率器件，在逆变器中承担着功率变换和能量传输的作用，是逆变器的心脏。同时，IGBT又是逆变器中最不可靠的元器件之一，对器件的温度和电流非常敏感，稍有超标便会炸机且不可修复。