TSMC推出模组化 BCD工艺 可生产高电压整合LED驱动IC

此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数字核心模组可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支持0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。

借着新工艺所提供的多项整合特色，可减少系统产品的物料清单。不只强固的高电压DMOS提供MOSFET开关整合，降低零组件数目外，其他可被整合的零组件还包括：高电压双载子电晶体、高电压/高精密电容器、高电阻多晶硅齐纳二极体(Zener diode)等，也可降低外部零组件数，并显着地缩小电路板的面积。

DMOS工艺支援专业集成电路制造中领先的汲极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如： 对一特定的60V NLDMOS 组件，当BV>80V 时，其Rdson 为 72 mΩ- mm2 )以及其高电流驱动能力，可藉由组件尺寸的优化来提升功率效能；强固的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更为理想；更多详细的特性分析亦可作为有用的参考，使 IC 设计能达到最佳的芯片尺寸及设计预算。

在COMS方面，5伏特工作电压能支持类比脉冲宽度调变器(Pulse Width Modulation controller)的设计，而2.5伏特及1.8伏特的逻辑核心，则通用于较高层次的数字整合。除此之外，与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项，亦可提供强化的数字程序设计使用。

TSMC工业电子开发处刘信生处长指出，就驱动组件整合来说，新的LED驱动IC之BCD工艺是非常尖端的技术，其相关的工艺设计套件(PDKs)强调高度精准的SPICE模型，提供单芯片设计更多的方便性。除此之外，Mismatching Model可协助提升目前在多通道 LED驱动器设计上的精准度。