实现最高性能的NexFET功率模块

2010/6/17 9:30:21

德州仪器(TI)宣布推出一款可在25 A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥，其占位面积仅为同类竞争功率MOSFET器件的50%。TI全新CSD86350Q5D功率模块通过高级封装将2个非对称NexFET功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点(POL)转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能,NexFET功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达1.5 MHz的开关频率生成高达40 A的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间，改善整体电路性能。此外，NexFET功率模块还能够以低成本方式实现与GaN 等其他半导体技术相当的性能。

CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势：

－－ 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式MOSFET 器件的50%；

－－可在25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率，与同类竞争器件相比，效率高 2%，功率损耗低 20 %；

－－与同类解决方案相比，无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍；

－－底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。

供货与价格情况

采用5 毫米x 6 毫米SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。此外，样片与评估板也已同步开始提供。