韩DRAM微细制程比重高 占市场优势

          外电报导，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)等韩国DRAM半导体业者40纳米等级制程比重超过50%以上。而美国美光(Micron)、日本尔必达(Elpida)、台厂南亚等竞争业者40纳米等级制程比重未满20~40%，华亚和力晶等比重则停留在约10%。

          最早转换微细制程的三星将50纳米等级制程减少21%，并将40纳米制程大幅提升至75%。且三星也是DRAM业界中唯一将制程扩大到30纳米等级的业者，比重占4%。

          海力士则紧跟在三星之后。海力士的60纳米制程比重占1%、50纳米制程比重占34%、40纳米制程占65%等，其中以40纳米制程占比重最高。

          美光、尔必达、南亚等竞争业者仍以50纳米制程比重较高，美光50纳米制程比重占72%，南亚则接近70%。尔必达40纳米制程比重占41%，虽然整体来说40纳米制程占比最高，但60纳米和50纳米制程合计占比达60%，比重过半，与韩国业者相比仍有很大差异。

          韩国业者逐渐将生产主力转换到40纳米制程，制程转换已大部分整理完成，美光则还有1%采70纳米制程，7%为60纳米制程，尔必达也还有25%使用60奈米制程。

          韩国相关业者表示，尔必达宣布2011年7月将会投入20纳米制程量产，但目前转换到40纳米制程的比重仍偏低，甚至无法进入30纳米制程，较难立即转换到20纳米制程。韩国业者也认为，60纳米制程比重至今仍达4分之1，可能是转换新制程上遭遇瓶颈的间接性证据。

          除此之外，台厂华亚科和力晶40纳米制程比重各为13%和11%，在转换微细制程方面速度仍偏缓。