富士电机计划扩增SiC功率半导体产线

        富士电机将在近期内决定生产规模，外界预估投资额将可达到数10亿日圆，此产线利用二极管及碳化硅制作出功率半导体，并整合绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor;IGBT），以模块方式提供给工业用机器。

        在此之前，富士电机已然与日本产业技术综合研究所合作于该研究所的茨城事业所生产碳化硅功率半导体的试作品，今后透过自家公厂产线，富士电机计划正式进行量产。

        富士电机于2011年会计年度（2010年4月~2011年3月）对功率半导体的投资额高达185亿日圆（约2.4亿美元），约占该公司总投资额的一半。

        碳化硅功率半导体为变频器（Inverter）中一重要零组件，主要用于控制马达转速，近期以来因其省电效果而受到瞩目。使用硅为原料的功率半导体因性能已然难以提升，故电力损失可减半的碳化硅功率半导体，可望于2015年成为市场主流。

        根据野村证券金融经济研究所的预估，功率半导体市场规模将在2013年，达到165亿日圆，较2009年增加64%.尽管关于碳化硅功率半导体的市场预估仍然不多，但业界估计，碳化硅功率半导体市场将可在2019年达到8亿美元规模，较2010年增加达30倍。

        为因应未来市场需求，日本多家厂商已然陆续整顿生产体制，先有Rohm于2010年，后有三菱电机于2011年初量产碳化硅功率半导体。海外方面也有德国InfineonTechnologies、意法半导体（STMicroelectronics）等公司，投入碳化硅功率半导体市场。