IC CHINA 2013展商巡礼：沈阳硅基

      “我们希望通过这次展会共同推动国内SOI工艺技术的广泛发展，更要推动国内集成电路行业的发展。”谈及2013 IC china的期待，沈阳硅基科技有限公司总裁海凤涛如是说。

       2013年11月13-15日，第11届中国国际半导体博览会暨高峰论坛(简称2013 IC china)将于上海隆重开幕。沈阳硅基科技有限公司将展出其自主研发生产的8英寸薄膜SOI产品。

       这个产品的特点是：采用TM-SOI技术，自主研发的8寸晶圆薄膜SOI硅片。

       2004年，沈阳硅基在辽宁沈阳出口加工区起航。公司集科研开发、生产制造、经营销售于一体，主营半导体材料。

       海凤涛说：“我们做为半导体材料的生产厂家，其使命是生产高品质的产品，为客户做好服务，以实现企业不断发展。”

       沈阳硅基是国内唯一使用“氢离子注入”和“薄膜转移”技术的SOI硅片供应商，年产20万8英寸薄膜SOI、8英寸外延SOI硅片、6-8英寸磨抛SOI硅片，以及15万片高端8英寸外延硅片。

       国产化是沈阳硅基的使命。通过这些专利技术，实现中国半导体集成电路芯片高端硅材料全面国产化，提升我国半导体集成电路芯片材料整体竞争能力,为国内外集成电路制造商和芯片代工厂提供低成本、高品质的SOI材料解决方案，服务于全球半导体客户。

       自主研发一直被公司视为生命。主导项目是具有自主知识产权的TM-SOI专利技术——6-12英寸的SOI绝缘层硅 （Silicon On Insulator）。该项目填补了国内大尺寸SOI产业化技术空白，可生产超薄膜、薄膜、厚膜以及外延SOI，能满足不同客户的各种需求。

       “未来将产品中心推向8-12寸片，薄膜SOI的方向发展。”沈阳硅基表示：公司将致力于SOI工艺晶圆的加工制造，会时刻关注SOI工艺在新兴领域的发展动向，跟随设计的更新，以适应市场的需要。

       沈阳硅基希望能够通过2013 IC china，能够关注SOI工艺的功率器件及RF芯片的发展动向。关注发展动向，跟随设计行业，形成产业互动性整合。