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赛普拉斯半导体推出四倍速(QDR?-IV )SRAM

赛普拉斯半导体推出四倍速(QDR?-IV )SRAM

——— 业界首款四倍速SRAM,可满足下一代交换机和路由器对随机传输速率的要求

  赛普拉斯半导体公司日前宣布,量产业界首款四倍速(QDR®-IV )SRAM。赛普拉斯的QDR-IV SRAM有144和72-Megabit (Mbit)两种容量,可满足下一代交换机和路由器的100-400 Gigabit线卡对随机传输速率的要求。赛普拉斯的QDR-IV SRAM是市场上性能最高的标准网络存储器解决方案。

   对于不断提升的线卡和交换速率来说,RTR(每秒完整随机存取次数)是存储器性能的重要指标。提升线卡速率的瓶颈在于查找表的处理、存储器中统计和状态计数的储存,以及排序功能。QDR-IV器件的RTR能支持这些功能,实现更高带宽和更高质量视频流的传输。

   赛普拉斯存储产品事业部执行副总裁Dana Nazarian说:“全球的网络流量持续快速增长,已经将网路架构推向极限。赛普拉斯新的QDR-IV解决方案催生了下一代高性能交换机和路由器,为满足这一网络流量的需求铺平了道路。作为SRAM市场的领导者,我们不断提高产品性能的标准,同时为客户提供满足各种标准的产品。”

业界对赛普拉斯QDR-IV SRAM的支持:

   Altera公司战略营销架构师Argy Krikelis说:“QDR-IV存储器为需要400 Gbps速率的新兴电信和数据中心网络应用提供了高带宽。Altera与赛普拉斯紧密配合,为客户提供系统架构的支持,同时使用赛普拉斯的QDR-IV和Altera的Arria 10 FPGAs 及 SoC来满足下一代系统要求。”

   赛灵思公司FPGA产品管理与营销高级总监Dave Myron说:“Xilinx® 的UltraScale™ FPGA器件现已发货,其架构支持诸如赛普拉斯QDR-IV SRAM这样的高性能存储器,能为宽带应用提供所需的灵活性。赛灵思和赛普拉斯已经建立起长期的战略合作关系,加速产品的差异化设计,满足我们共同的客户对于下一代产品的需求。”

   赛普拉斯的QDR-IV SRAM可以在两字节突发(burst-of-two)或分区式两字节突发(banked burst-of-two)模式下工作,因而能在所有的QDR SRAM中拥有最快的时钟速率和最高的RTR。分区式两字节突发工作模式下的最高频率为1,066 MHz,RTR可达每秒21.32亿次传输(2132 MT/s)。而在标准的两字节突发工作模式下能达到的最高频率是667 MHz,RTR则为1334 MT/s。与以往的QDR SRAM所具有的450 MHz 频率和900 MT/s RTR相比,这两种工作模式下的产品性能都有了显著改进。

相关产品详情:

赛普拉斯产品页面

存储器

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