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物联网将掀晶圆代工变革?日本及三星策略大转向

供稿:中国工控网 2016/8/29 9:48:20

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  物联网风潮渐起,连台积电董事长张忠谋都喊出物联网是 “The next big thing”,不只消费电子大厂、网通设备厂商纷纷朝此布局,晶圆代工市场也可能为此发生质变?

  物联网之下,以往制造业大量生产创造规模经济的模式不再,取而代之的是多元化应用与少量多样的产品特性,日本在今年 4 月推出迷你晶圆厂(Minimal Fab)强调造价低廉、小批量生产,就是瞄准物联网感测器少量多样的需求。

  现在连三星也出现晶圆代工策略的大改变,不只是为物联网,更是为降低对高通与苹果等大客户的依赖。据韩国媒体 ET News 报导,三星正在改变原本量产的晶圆代工策略,转向小量多样化接单,并开始接美国、韩国、中国中小型规模厂商订单,三星称此计画为“开放式晶圆厂(open foundry)”。报导中指出包含如 HanaTech、AlphaChips、KoreaChips 等韩厂,以及台湾世芯(AllChip)、中国芯原(VeriSilicon)、美国加州 e-Silicon 等其他海外 IC 设计厂都是三星此次策略合作的对象。

  不只接单,制程技术或也可能出现变化,FinFET 技术被视为 20 奈米以下半导体制程微缩的重要技术,不少半导体大厂将资源倾注在 FinFET,但在物联网浪潮来临,FD-SOI(全耗尽型绝缘层覆矽)技术也日渐受到重视。与 FinFET 相比,FD-SOI 基板虽然较贵,但在掩模数量与制造工序比 FinFET 来得少,减少部分光罩成本也缩减了制造时间,在技术上比 FinFET 更适合类比/混合讯号、RF,FD-SOI 还具备了低功耗的优势,因此,不少人认为 FD-SOI 将是物联网较佳选择,或能与 FinFET 互补。

  FD-SOI 由意法半导体借力与三星、IBM、格罗方德所组的 ISDA(国际半导体开发联盟)所开发,除了掌握技术的意法半导体本身,三星以 FinFET 致力在 14 奈米、10 奈米等先进制程竞逐外,也在生命周期较长的 28 奈米制程布建 FD-SOI 产能,传出 FD-SOI 已达到黄金良率,并估计于第三季开始量产。

  而格罗方德押宝 FinFET 的同时,在去年即基于 22 奈米 FD-SOI 推出“22FDX”平台,声称晶粒尺寸缩减 20%,光罩数目减少 10%;相较 foundry FinFET,减少近 50% 的浸润式微影层,并强调对比 28 奈米 HKMG 功耗的大幅缩减。

审核编辑(郑益文)
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新闻来源: technews

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