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威刚将于2019年美国闪存高峰会(Flash Memory Summit)

威刚将于2019年美国闪存高峰会(Flash Memory Summit)

——— ​ 展示工控存储新品与DDR4内存

2019年7月26日 – 全球内存领导品牌威刚科技(ADATA Technology Co., Ltd.)将于8月6日至8日,参加位于美国Santa Clara的国际闪存指标性盛会 – 「闪存高峰会」(Flash Memory Summit)。此次除了将展出一系列SLC、MLC与3D NAND工业级固态硬盘、嵌入式存储产品和DDR4 2666内存模块;还包括了数款PCIe新品与企业级固态硬盘,可满足物联网与5G通讯所要求的「高速运算」和「数据安全」。此外,威刚也将在8月6日与7日的论坛会议上发表两场演说,分别讲述如何在存储安全中防堵Opal 2.0与SED SSD的漏洞,以及SSD效能测试的分析法。欢迎各位亲临指教,更深入地了解威刚在存储技术中的领先专业。

迎接5G新世代 – 高速、安全缺一不可

看准未来5G的蓬勃发展,与物联网、AI、云计算等应用的方兴未艾,威刚研发出效能更高且稳定安全、易于管理的存储方案。今年将推出两款PCIe新品:PCIe Gen3x4 M.2 2280固态硬盘 IM2P33E8,和CFexpress Type B记忆卡ICFP301。IM2P33E8的读写效能高达每秒3.5/3.2GB,可快速处理大量数据。而ICFP301则是锁定高画质4K/8K影像监控及辨识系统,传输速度可比一般SD与CFast卡快上3至4倍,达每秒1700/1200MB。而针对「安全且易于管理」的要求,威刚将展示两款全新的企业级固态硬盘,包括2.5吋SATA接口的SR1100E,以及新一代EDSFF E1.S规格的IED1USEC。其中SR1100E符合FIPS 140-2加密标准,并支持LDPC ECC错误校正机制,适用于工业计算机与数据中心。IED1USEC则支持多项服务器所特别重视的实用功能,如热插入(Hot Plug)、断电保护(Power-Loss Protection),不仅可简单操作,也能有效防止重要数据遗失。

容量与耐用度 同步跃进

除了效能与数据安全之外,威刚工业级存储产品还具备了大容量与高耐用度的优点,能广泛运用于各类物联网装置。威刚已将其工业级3D TLC固态硬盘的P/E Cycle(Program/Erase Cycle,写入/抹除次数)全面提升至3K,与2D MLC固态硬盘同等级,大幅强化了耐用度、效能与产品寿命;且大部份的产品都有1TB的大容量。此外,威刚还独家开发出「A+ SLC」技术,能使NAND Flash的效能逼近SLC,在容量、效能与成本间取得平衡,提供给客户更具竞争力的升级方案。

抗硫化、耐宽温 – 强力抵御外在不利因素

因应环境污染日趋恶化,工业设备也得面对极端温度、硫化腐蚀、潮湿、多灰尘等不利因素的威胁。作为工业嵌入式应用的专业品牌,威刚已将「抗硫化」与「宽温支持」的技术相结合,导入内存模块及固态硬盘,让工业设备即使处于含硫或极端气候(-40°C至85°C)的恶劣环境下,仍能维持稳定运作;这点对于长期处于户外的工业设备也格外重要。另外威刚也提供「保形涂料」(Conformal Coating)的技术,将防护涂层覆盖于PCB上的电子组件,可保护装置不受灰尘侵入、液体浸湿或其他污染物影响,而导致产品腐蚀、造成短路,或其他不可预期的损害。

Flash Memory Summit 2019展览信息如下,欢迎至威刚科技摊位参观:

时间: 2019年8月6日至8日

地点: 美国圣塔克拉拉会展中心 (Santa Clara Convention Center)

摊位号码: 714

关于威刚 – 创新科技‧闪耀未来

威刚科技(ADATA)为全球第二大内存模块厂,并名列台湾前二十大国际品牌,拥有逾500项的内存相关国际专利。主要产品线包含内存模块、快闪记忆碟、记忆卡、固态硬盘及外接式硬盘。威刚秉持追求持续创新、卓越质量与超凡效能的精神,不断推出领先业界之产品,并荣获多项国内外殊荣:包括德国iF Design、Red Dot、CES Best of Innovations、日本Good Design Award、台湾精品奖「金质奖」、COMPUTEX创新设计奖等国际奖项肯定。威刚科技(ADATA)以敏捷效率的「蜂鸟精神」为品牌核心,并持续以全方位的科技为人们的智慧生活增添丰富色彩与乐趣为目标,引领无限可能的创新未来。

欲了解更详尽的品牌与产品讯息,欢迎造访威刚科技官方网站industrial.adata.com。

新闻联络人

威刚科技股份有限公司 

品牌营销处

T: +886-2-8228-0886

F: +886-2-8227-1760

E: PR@adata.com

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