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Hittite 低相噪可编程分频器HMC862LP3E/HMC905LP3E

Hittite 低相噪可编程分频器HMC862LP3E/HMC905LP3E

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通信军用市场世界级解决方案供应商Hittite Microwave 公司于近日宣布发行两款全新的完全基于单片微波集成电路的极低噪声可编程分频器。

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       通信军用市场世界级解决方案供应商Hittite Microwave 公司于近日宣布发行两款全新的完全基于单片微波集成电路的极低噪声可编程分频器HMC862LP3E HMC905LP3E,非常适用于100MHz~15GHz 的测试仪器,实验室系统及各种军事应用的信号生成模块。
 
HMC862LP3E HMC905LP3E SiGe BiCMOS 工艺SMT 封装的低噪声可编程分频器
HMC862LP3E 输入频率在100MHz~15GHz 时可通过编程进行N=1,2,4,8 分频。
HMC905LP3E 输入频率在400MHz~ 6GHz 时可通过编程进行N=1,2,3,4 分频。
 
在宽频率范围内,HMC862LP3E偏移频率大于100kHz处的相位噪声低于-153 dBc/Hz,其灵活的分频比适用于高性能宽带通信系统。
 
单端HMC905LP3E 输出功率可达6dBm,偏移频率大于100kHz 时单边带相噪声低至-158 dBc/Hz50%占空比,适用于低噪时钟生成,本振生成,本振驱动的应用场合。HMC905LP3E的偏压可配置,输出功率可控制并且有省电模式。
 
HMC862LP3E HMC905LP3E启动迅速,输入输出端隔离良好,两者均可工作在-40℃~+85℃,采用3×3mm QFN 形式的SMT 封装,符合RoHS
 
SMT样片和PCB评估板均有现货提供,详情可咨询Hittite公司授权代理商世强电讯
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