爱普生 SG-8003CG 可编程有源晶振

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Symbol

Specifications

Remarks

PE / SE PD / SD PC / SC

输出频率范围

f0

1 MHz to 166 MHz

供电电压

VCC

1.8 V Typ.
1.6 V to 2.2 V

2.5 V Typ.
2.2 V to 2.8 V

3.3 V Typ.
2.7 V to 3.6 V

存储温度

T_stg

-40 °C to +85 °C

裸片保存

工作温度

T_use

-20 °C to +70 °C / -40 °C to +85 °C

频率精度

f_tol

B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6

-20 °C to +70 °C

L:±50 × 10-6, M: ±100 × 10-6

-40 °C to +85 °C

工作电流

ICC

3.5 mA Max.

4.0 mA Max.

没有负载的条件下, 1 MHz~f0~25 MHz

5.0 mA Max.

6.5 mA Max.

没有负载的条件下 25 MHz~f0~50 MHz

6.0 mA Max.

8.5 mA Max.

没有负载的条件下, 50 MHz~f0~75 MHz

7.0 mA Max.

10.5 mA Max.

没有负载的条件下, 75 MHz~f0~100 MHz

8.5 mA Max.

12.5 mA Max.

没有负载的条件下, 100 MHz~f0~125 MHz

10.0 mA Max.

15.0 mA Max.

没有负载的条件下, 125 MHz~f0~166 MHz

禁止输出电流

I_dis

8 mA Max.

OE=GND (PE,PD,PC)

待机电流

I_std

50 µA Max.

ST =GND (SE,SD,SC)

对称性

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC level, L_CMOS d 15 pF

输出电压

VOH

90 % VCC Min.

VCC -0.4 V Min.

IOH=-4 mA(PD,SD,PE,SE), -8.0 mA(PC,SC)

VOL

10 % VCC Max.

0.4 V Max.

IOL= 4 mA(PD,SD,PE,SE), 8.0 mA(PC,SC)

输出负载条件（CMOS）

L _CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80 % VCC Min.

OE terminal or ST terminal

VIL

20 % VCC Max.

上升下降沿时间

tr/ tf

5.0 ns Max.

1 MHz~f0~80 MHz

20 % VCC to 80 % VCC
level, L_CMOS=15 pF

2.5 ns Max.

80 MHz~f0~166 MHz

信号建立时间

t_str

5 ms Max.

t=0 at 90 % VCC

老化频率误差

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 °C, First year, VCC=1.8 V, 2.5 V, 3.3 V