搭载 PCIe Gen3x2 传输接口,符合 NVMe 1.3 标准,读写速度高达每秒 1600/1300MB,并采用 3D T
符合NVMe 1.4协定,并采用112层堆叠3D TLC闪存,提供优异的读写性能与高容量,以及高达3K次的擦写次数 (P/E C
采用112层堆栈3D TLC闪存,提供优异的读写性能与高容量,以及高达3K次的擦写次数 (P/E Cycle),可确保产品的长效
搭载 3D 闪存,可靠度和效能大幅提升,读写速度也高达每秒 550/500MB
搭载最新 3D 闪存,可靠度和效能大幅提升 读写速度最高也可达每秒 560/520MB
严选优质晶片与工业等级快闪记忆体,提供常温及宽温两种规格,并支援 SMART、TRIM Command 与 NCQ 技术,可确保