MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同; [详情]
2020-09-21 人气：882
NOR闪存广泛用作FPGA的配置设备。FPGA在工业和通信及汽车ADAS应用中的使用取决于NORFlash的低延迟和高数据吞吐量特性。快速启动时间要求的一个很好的例子是汽车环境... [详情]
2020-09-18 人气：772
MRAM技术的进一步改进可以从根本上改变嵌入式系统的体系结构。MRAM有潜力分别取代嵌入式MCU中用于数据存储和程序存储器的RAM和闪存。MRAM有望替代两者，并允许使用单... [详情]
2020-09-18 人气：777
经过超过八年的MRAM研发，EverspinMR2A16A是第一款4MbitMRAM商业设备。该器件采用256Kx16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚。 [详情]
2020-09-15 人气：787
非易失性使用普通的易失RAM很简单。上电时必须将其初始化为一个已知，然后可以根据需要对其进行写入和读取。 [详情]
2020-09-14 人气：630
磁阻RAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。MRAM适用于具有简历播放功能的娱乐应用程序。掉电期间，指示播放媒体时间戳的书签会... [详情]
2020-09-14 人气：690
NRAM具备众多优点：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM芯片的可扩展性和对闪存的超强耐久性的潜力。它比基本上全部新起存储系统（PCM，MRAM和ReRAM）都更贴近通... [详情]
2020-09-11 人气：701
在非易失性存储器中，当降至40nm以下时，嵌入它的成本将变得非常高，因此可能最终会在内部使用更多的SRAM，但随后将NVM委托给外部设备。 [详情]
2020-09-11 人气：772
NRAM具备众多优点：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可扩展性和对闪存的超强耐久性的潜力。它比基本上全部新起存储系统（PCM，MRAM和ReRAM）都更贴近通用性... [详情]
2020-09-09 人气：713
EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间，因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。（这个假设是相反的用于MRAM的；） [详情]
2020-09-08 人气：694