GE TRC260

• 型号： GE TRC260


• 数量：10


• 制造商：　厦门兴锐达自动化设备有限公司


• 有效期：2019/2/1 0:00:00

GE 3021704 NSPP 3021704

 GE CR103JB2002A NSFP CR103JB2002A

 GE 36A164456AAP05 NSPP 36A164456AAP05

 GE THED126030 USPP THED126030

GE TRC260

 GE CR2942U230 USPP CR2942U230

 GE CR2940US203E NSPP CR2940US203E

 GE SRPK800A800 NSPP SRPK800A800

 GE 8825031-2 USPP 88250312

GE TRC260

富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。

MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的内存器件的选择，除了可让终端应用产品的整体体积变小之外，更可让整个系统在写入数据时将功耗降至最低，以延长系统工作时间。

智能可穿戴设备是当下的市场热点，并以惊人的速度快速渗透和发展。智能可穿戴设备应用涵盖范围广阔且种类繁多，包括智能眼镜、头戴式显示器、隐蔽式助听器和智能脉搏计等，以及可记录卡路里消耗量和运算数据的活动记录器如智能手环等。而在这些众多智能可穿戴设备当中，持续的实时记录数据亦是必备的。

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图一：SOP封装及WL-CSP外观

与一般的非挥发性内存如EEPROM和闪存（Flash）等相比，富士通FRAM可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，它的写入速度为前者的1000倍以上，而功耗仅为其1/1000-1/100000，FRAM的使用寿命更是超过EEPROM和Flash10000倍以上，是实时存储数据的理想选择。

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图二：SOP封装及WL-CSP封装体积比较

为了在更广泛的应用中进一步扩大FRAM快速读写、高可靠性和低功耗的特点，富士通半导体在为1MB FRAM器件采用SOP封装之后，更推出了其全新WL-CSP封装版本（见图一）。在采用WL-CSP封装后，MB85RS1MT的体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，比SOP封装体积小了95%（见图二）---其面积比SOP封装小了77%（见图三），其厚度仅相当于信用卡厚度的一半（见图四）。

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图三：SOP封装及WL-CSP封装面积比较

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图四：SOP封装及WL-CSP封装厚度比较

低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性内存，FRAM写入数据的速度也比较快，因此可在写入数据时大幅降低功耗（如图五）。基于此原因，为了实时记录而需经常性写入数据的穿戴式装置在采用此FRAM后，可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。

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图五：写入时功耗量比较

富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。此次采用WL-CSP封装的MB85RS1MT器件的推出，则将其应用领域延展到智能可穿戴设备应用当中，为客户提供更小、更薄和功能更丰富的产品，并大幅延长待机时间。

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 GE CR104PTY409420 NSFP CR104PTY409420

 GE CAE110T USPP CAE110T

 GE 97F8590 NSPP 97F8590

 GE 50-250321PDPD1 NSPP 50250321PDPD1

 GE CR304ALG1AGL NSPP CR304ALG1AGL

 GE BSLV3R NSFP BSLV3R

 GE 3021571 USPP 3021571

 GE CR7CA10B USPP CR7CA10B

GE TRC260

 GE CR104P-BL11M1S2 USPP CR104PBL11M1S2

 GE RTA2B NSFP RTA2B

 GE 22D156G5 USPP 22D156G5

 GE 3ARR28U4 USPP 3ARR28U4

 GE CR205-A002 NSFP CR205A002

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