AB 1757-PLX52/A

• 型号：AB 1757-PLX52/A


• 数量：1


• 制造商：　厦门兴锐达自动化设备有限公司


• 有效期：2019/2/1 0:00:00

A-B 1756-EN2T/D
A-B  1756-IR6I/A  
A-B  1756-TBNH
PULS  SLA8.100  
B+W  465010  
A-B  1336-L6/B  
A-B  1336-GM1    
ProSoft MVI46-PDPMV1

AB 1757-PLX52/A

为了提高igbt的抗短路能力，一般在开启过程和导通状态下将其栅极-发射极电压限制在+15v以下。由于近来的igbt的阈值栅压已经超过3v，所以在关断过程和断开状态下把栅极-发射极电压设置为0v就足够了。这对于直接把栅驱动器集成在功率模块中的智能功率模块（ipm）来说是一种惯例。与这些小型的ipm相比，现今常规的大型igbt模块，带有36个以上的并联igbt芯片，它的栅极互连线产生的电阻以及集电极-栅极转移电容都会增大，这会对它的关断速度，抗噪声特性造成严重的影响，特别是还有可能产生由于瞬间电压导致的局部误导通。为了减少这些影响，栅极-发射极关断电压通常设定为-5v—15 v。

　　因此，在第一种工作模式下，igdasic可以通过在“vee”管脚（见图3）调节发射极电压的方式，提供给开启导通状态一个调节过的+15v栅极-发射极电压来作为整个栅驱动器的供给电压，其测量精确度为±450mv，工艺偏差在3σ内，温度范围为400℃—1250℃。驱动直流电流必须被限制在 2.8ma以下，这样外部元件就可以控制将栅极-发射极电压设定为用户需要的值。

　　由于栅驱动器的总供给电压在 20.5 v以下，所以驱动器需要使栅极-发射极电压保持在-5.5v左右，这样关断状态才可以抗噪声干扰。在这种工作模式下，监测到栅极-发射极开启电压小于12.6 v，关断电压小于5.15v时故障清除模式就会判断出错。与之相应的启动电路与噪声滤波也已经实现。栅驱动器的推荐供给电压范围为20.5 v—30v。在第二种工作模式，也就是mosfet模式下，asic同样提供了一个0v的关断电压。一旦这种模式被asic监测到，故障清除模式将把开启电压8.5v作为判断出错的标准。监测关断电压的电路以及+15v的控制电路都将失效。这种模式下的推荐栅驱动器供给电压为10 v—17.5 v。

　　igbt是电压控制器件。通常，栅驱动器是用电压源来实现的，栅电流可以通过选择适当的栅电阻来调节。这里所使用的栅驱动器的开通和关断输出级都是利用扩展标准cmos工艺制造的n型ldmos晶体管实现的。

　　横向器件的限制因素在于，对于相同的导通电阻更耗费硅片面积，而且在一定的栅极-源极电压下，一旦超过给定的工艺和温度，饱和电流以及导通电阻将产生很大的变化。对于一个不增加成本的实例，栅驱动器的输出级，导通电阻为1.1ω，偏差±40%，假定外部的栅电阻为3.3ω，那么将引起栅电流±10%的变化。此外，随着在高结温下dmos饱和电流的减小，它有可能到达栅电流峰值所需要的最小值，导通电阻的变化将进一步地增大。最终将导致增加igbt栅电荷移动的延迟时间。这种时间上的延迟将对并联的igbt与独立的栅驱动器的电流分配产生严重影响。

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A-B 1785-L40C15/E
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Slimpak  G408-0001        
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