铁基纳米巨磁阻抗材料的特点是在外磁场的作用下具有较高的巨磁阻抗效应。用该材料制配的非晶薄膜，其磁阻抗效应达72%，制配的微晶带其横向磁阻抗效应灵敏度达660%Oe，纵向磁阻抗效应灵敏度达300%/Oe，纵向磁阻抗变化高达1600%，利用材料的这种巨磁阻抗效应的高灵敏度特性，可制作各种磁控开关、磁线性高灵敏度位移传感器、变频器、非线性变换器、各种磁性编码器等。与其它同类元件相比用纳米微晶磁阻抗材料制作的各种传感器更具有：(1)灵敏度高，比霍尔器件高10～100倍；(2)使用温度范围宽，纳米磁敏材料在-195℃～+300℃下能正常工作；(3)稳定性好，其不稳定性＜10-8,(4)成本低、低功耗等特点。
联系人：
邮 箱：phy2@ecnu.edu.cn
网 址：
电 话：021-52510090
地 址：上海市中山北路3663号
