场效应晶体管JFET测试方法和注意事项

1. JFET的引脚识别

场效应晶体管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应晶体管的发射极和集电极。将万用表设置为“R×1k”，用两根表笔测量 每两个引脚之间的正反向 电阻。当两个引脚的正反向电阻均为几千欧时，这两个引脚为漏极和源极（可互换），其余引脚为栅极。对于4脚结型场效应管，另一极为屏蔽极（使用时接地）。

2.门判断

将万用表的黑色表笔接到三极管的一个电极上，红色表笔分别接到另外两个电极上。如果两次测得的电阻值都很大，说明是反向电阻。所以它是一个N沟道场效应晶体管，黑色引线连接到栅极。

制造工艺决定了场效应管的源漏是对称的，可以互换使用 ，不影响电路的正常工作，所以不需要区分。源极和漏极之间的电阻约为几千欧姆。

请注意，此方法不能用于确定 MOSFET 的栅极。由于MOSFET的输入电阻极高，而栅极和源极之间的极间电容很小，所以在测量时只要有少量电荷，就可以在极间电容上形成高电压，这很容易损坏晶体管。

3. 放大估计

将万用表设置为“R×100”，红色表笔接源极，黑色表笔接漏极，相当于给场效应管加了1.5V的电源电压。此时，指针指示漏极和源极之间的电阻值。

然后用手指捏住栅极，将人体感应电压作为输入信号加到栅极上。由于三极管的 放大作用 ，UDS和ID都会发生变化，这意味着漏极和源极之间的电阻也发生了变化，表笔摆动幅度很大。如果捏栅极时摆幅很小，说明晶体管的放大能力弱；如果引线不动，则表明晶体管已损坏。

由于人体感应到的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时工作点可能不同，用手捏闸门时手可能会左右摆动。当晶体管的 RDS 减小时，表笔向右摆动，如果 RDS 增加，表笔向左摆动。

无论手的摆动方向如何，只要有明确的摆动，就意味着晶体管可以放大。

这种方法也适用于测量MOS晶体管。为了保护MOS场效应管，需要握住绝缘手柄，用金属棒连接栅极，防止人体感应电荷直接加到栅极上，损坏晶体管。

每次测量MOS管后，GS结电容上会有少量电荷，电压UGS就会建立起来。然后，如果继续测试，表笔可能不动，将GS极之间的电路短路即可解决问题。

4、注意事项

1  、为安全使用场效应管，在电路设计中，不得超过功耗、最大漏源电压、最大栅源电压、最大电流等限制参数.

2 、使用各类场效应管时，必须严格按照 要求的偏压插入电路，并观察场效应管偏压的极性。例如，结型场效应门的源漏之间有一个PN结，所以N沟道门不能正偏，P沟道门也不能负偏。

3  、由于MOS场效应管的输入阻抗极高， 在运输和储存过程中必须将引出引脚 短接。此外，应使用金属屏蔽封装，以防止外部感应电位破坏栅极。

特别是，最好将MOS场效应管存放在金属盒中，而不是塑料盒中。此外，还应注意晶体管的耐湿性。

4 、为防止场效应管栅极感应击穿，所有测试仪器、工作台、电烙铁、电路本身都必须良好接地，即：

(1)焊接引脚时，先焊接源极。

(2)在接入电路前，三极管的所有引线端保持相互短接，焊接后去除短接材料。

(3)当您从元件架上取下晶体管时，人体应适当接地 ，如使用接地环。

(4)如果使用先进的气热式电烙铁，焊接场效应管更方便，但要确保安全。

图 8. 气体加热焊接

(5) 绝对不允许在未关闭电源的情况下将晶体管插入或拉入电路中。

5 、安装场效应管时，安装位置应尽量远离发热体。并且为了防止晶体管的振动，需要将晶体管外壳紧固。另外，我们弯曲引脚引线时，应高于根部5毫米，以防止损坏引脚并导致漏气。

6. 使用VMOS晶体管时，必须加合适的散热片。以VNF306为例，晶体管加装140×140×4（mm）散热器后，最大功率只能达到30W。

7  、多个晶体管并联后，由于极间电容和分布电容增大，放大器的高频特性变差，容易通过反馈引起高频寄生振荡。为此，并联的复合晶体管一般不超过四个，抗寄生振荡电阻应串联在每个晶体管的基极或栅极上。

8. 结型场效应管的栅源电压不能反转，可以开路存储。MOS场效应管在不使用时，由于其输入电阻很高，必须将每个电极短接，以防止晶体管被外电场损坏。

9  、焊接时，电烙铁外壳必须外接地线 ，防止电烙铁带电损坏三极管。对于少量的焊接，也可以将烙铁加热后拔掉插头或切断电源进行焊接。尤其是焊接MOS场效应管时，要按顺序焊接源漏栅，并切断电路。

总之，要保证场效应管的安全使用，需要注意的事项是多种多样的，安全措施也是多种多样的。广大专业技术人员，特别是电子爱好者，应根据自己的实际情况，采取切实可行的措施，安全有效地使用场效应管。

备注：本文由IC先生网（www.mrchip.cn）特别整理于工控网上面，请勿转载。图片来源网络，如有侵权请联系删除。