KYOSEMI KPDX10G 工控元器件
详细介绍
特点
带TIA的高速InGaAs光电二极管
高可靠性
工作温度范围广（-45℃～+85℃）
带差动输出端子
应用
高速光通信
光LAN
OE转换器
规格
最大额定值
| 项目 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备考 |
|---|---|---|---|---|
| 最大光输入功率 | Pimax | 5 | mW | |
| 供给电压 | Vcc | 4 | V | |
| 反向电压 | VR | 15 | V | |
| 工作温度 | Topr | -40 to +85 | ℃ | |
| 存储温度 | Tstg | -40 to +85 | ℃ |
电子和光学特性
| 项目 | 符号 | 特征值 | 单位 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | Typ. | 最大 | ||||
| 工作电压 | Vop | 3.1 | 3.3 | 3.5 | V | |
| 耗电量 | Icc | 55 | 68 | mA | ||
| 比特率 | BR | 10G | bps | |||
| 带宽@-3dB | BW | 9.0 | GHz | Pi=-10dBm | ||
| 最小接收灵敏度 | Pmin | -18 | dBm | BER=10-12 with a 2^23-1, PRBS at 10Gbps | ||
| 输入光过载 | POL | +1 | +2 | dBm | BER=10-12 with a 2^23-1, PRBS at 10Gbps | |
| 响应率 | R | 0.80 0.85 | 0.85 0.95 | A/W | λ=1310nm λ=1550nm | |
| 跨阻抗 | Zt | 1.8 | 2.4 | 3.0 | kΩ | Pi=-15dBm@1550nm, PL=50Ω, differential |
