工控网首页
>

新闻中心

>

新品速递

>

富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET

富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET

       富士电机株式会社(东京都品川区、代表取缔役社长:北泽通宏)推出业内最高水平的低损耗MOSFET“Super J-MOS系列”产品。

Super J-MOS产品照片

1.上市目的
       如今,人们对地球环境越来越关心,在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中,可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。
       其中,MOSFET注1作为电力转换过程所使用的主要装置,对其降低损耗的要求越来越高。
       此次,富士电机推出的Super J-MOS系列产品,采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构注2,可大幅度地降低损耗。
       据此,可通过提高设备的电力变换效率减少耗电,为实现低碳社会作贡献。


2.产品特点
      ・ 降低通态电阻70%注3,达到业内最高水平的低损耗。
      ・ 结合最新降低开关损耗的技术,使元器件总损耗降低14%注4。


3.主要规格(代表机型)

额定电压(V)    额定电流(A)    通态电阻(Ω)                 封装                       上市时期
      600V                   20A                          0.19                   TO-220F,TO-22O               即日
      600V                   30A                          0.125                  TO-3P,TO-247              2012年4月
      600V                   47A                          0.07                    TO-3P,TO-247              2012年4月
      600V                   68A                          0.04                           TO-247                    2012年4月


4.主要用途
       ・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备;
       ・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。


5.询问处
       富士电机株式会社 营业本部 电力电子设备统括本部 第3统括部 营业第1部  
       ☎03-5435-7256

注1 MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管。

注2 SJ结构:电荷非平衡Superjunction结构
       其特点是,由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构,可使n区的杂质浓度提高,所以可大幅度降低阻值。
       以往面状结构的MOSFET,由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区(过流层)来确保耐压水平的,因此通态电阻无法降至一定值以下。
       而SJ结构,是通过在n区形成p区,这既可以在纵向又可在横向延展过流层,因此,即使n层阻抗下降,依然可以确保耐压水平。据此,可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。

注3、4 与本公司以往产品相比


投诉建议

提交

查看更多评论
其他资讯

查看更多

富士电机荣获“2022年度运动控制领域用户满意品牌”奖项

你真的选对断路器了吗?

无碳社会,我们在建设

展会回顾 | 第二十届中国国际铸造博览会

【断路器基础篇】短路和短路接地是什么?