富士电机有关高速分立器件IGBT“High-Speed W系列”产品的发售

‍‍‍‍富士电机株式会社，富士电机（中国）有限公司，即将发售功率半导体的新产品—高速分立器件IGBT※“High-Speed W系列”，特发通知。

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※分立器件：晶体管或二极管等单一功能的半导体元器件 IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）

1．背景 功率半导体是一种有助于节能或稳定供电的重要元器件，普遍应用于变频器、不间断电源装置、功率调节器等工业装备以及电动及混合动力汽车、通讯器材等。 根据预测，使用分立器件IGBT的工业装备和通讯器材的市场规模将于2016年达到约500亿日元，之后将以年均5％的速度稳步增长。（数据来源：IMS）。 近年来，随着全球能源需求的增长，市场对这些工业或通讯器材的节能需求也日益提高，同时还极力追求机器本身的小型化、节约占地面积。 此次发售的高速分立器件IGBT产品便吻合了上述市场需求。

2．产品特点 （1）降低电耗、促进节能 功率半导体通过反复不停的开关（电气的开/关切换）操作将直流转换成交流，并进行电压控制等。本次发售的新产品由于做到了IGBT芯片的薄型化和微细化，较以往产品（High-Speed V系列）相比，开关动作时的电耗（关断损耗）减少了大约40%，从而实现了机器设备的节能和电力成本下降。

（2）实现机器小型化 　  通过降低开关动作时的损耗（控制发热量），较以往产品（20kHz左右）相比可以对应更高的开关频率※（20kHz~100kHz）。由此实现了机器设备外围部件（线圈、变压器）的小型化、机器设备本身的小型化和整体成本的降低。

※每1秒钟开/关切换的次数

3．产品规格和发售时期

4．产品咨询部门 富士电机（中国）有限公司 半导体营业本部 半导体营业部 ☎+86-21-5496-1177

Ext.3503

【参考】产品阵容和主要规格