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关于发售超结功率 MOSFET“Super J MOS® S2/S2FD系列”的通知

供稿:FUJI-富士电机(中国)有限公司 2016/6/28 16:01:30

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   富士电机株式会社,富士电机(中国)有限公司正式发售功率半导体的最新产品——超结功率※MOSFET“Super J MOS® S2/S2FD系列”,特此通知。


   一种MOSFET(场效应晶体管)结构。同传统的平面式结构相比,可降低单位面积的电阻。


1.背景

   功率半导体是实现节能或稳定供电的关键器件,多被嵌入UPS、功率调节器等工业设备、通讯设备及家电产品等各类电气产品中。

近年来,随着全球能源需求的不断扩大,对节能的要求也日益提高。据预测,能够减少搭载设备耗电的超结功率MOSFET在2016年将达到1200亿日元的市场规模,并将以14%的速度逐年递增(出处:IMS)。

   此次,我公司正式发售一款同以往的产品相比能够减少电流阻碍,从而实现节能的最新产品“Super J MOS® S2/S2FDx系列”。


2.产品特点

(1)降低通电时的电阻,实现搭载设备节能

   和以往的产品(S1系列)相比,S2系列在相同芯片面积下通电时的电阻降低近25%。这将有助于实现搭载设备的节能,节约用电成本。

(2)实现内置二极管的快速恢复,减少开关损耗

   S2FD系列的内置二极管开关所需时间(恢复时间)较S2系列缩短了近50%。在使用内置二极管的变频器电路等产品中应用本产品,不仅可以减少开关操作时的电能损耗,还能控制开关时瞬间产生的过电压(电涌电压)。这些特点将有助于实现搭载设备的节能,提高产品的可靠性。



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更多内容请访问 FUJI-富士电机(中国)有限公司(http://c.gongkong.com/?cid=1681)

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