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导入行业领先技术 金泰克DDR5内存蓄势待发

导入行业领先技术 金泰克DDR5内存蓄势待发

2021是DDR内存技术升级换代的裂变时代,也被称为DDR5商用元年。自JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后,国内外各大模组厂商竞速开启探索模式并布局DDR5。

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记者了解到,作为国内半导体存储企业,金泰克为满足行业客户及广大用户对DDR5产品应用的期待,以及为存储行业应用提供更多可能性,金泰克也将于近日正式发售DDR5内存产品。金泰克DDR5内存产品的面世,为对设备性能有刚需的行业带来了更多可能,同时也为终端用户带来更流畅的产品体验。

DDR3到DDR4的小进步花了五年;DDR4从2012年发布第一版到2021年的DDR5,用了整整十年。俗话说“十年磨一剑”,相较于DDR4,DDR5又有哪些特点和产品优势呢?今天我们就一探究竟。

产品特性

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 (DDR5和DDR4对比)

大容量:

DDR4为4Gb的单片芯片密度,而DDR5的内存颗粒容量会从16Gb起跳,最大可达64Gb,16Gb容量意味着单颗芯片就有2GB容量,内存单条单面容量轻松做到16GB,单条双面容量做到32GB,如果使用单颗64Gb芯片,那么就会有单条容量128GB的DDR5内存出现。

高速率:

DDR5从3.2Gbps起跳,到6.6Gbps,起点即是DDR4的速度峰值。DDR5最高可扩展到8.4Gbps,预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n。

低能耗:

采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V,VDDQ和VDD降低到1.1V,功耗整体下降,性能提升了85%。这是几代DDR电压总线以来下降比例最少的一次,说明其对电源完整性和信号完整性的设计要求越来越严苛。

产品优势:

端到端接收模式的强化,信号传输更纯净

在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能,增加CA、CS类信号也使用了ODT,采用片内终结。

全新的PMIC电源架构,采用VDD/VDDQ/VPP/VDDSPD/VIO供电

DDR5的供电模块也从系统主机板移到了DDR5内存条上。该功能模块(PMIC)4.5V-5.5V输入,输出VPP 1.8V ,VDD 1.1V,VDDQ 1.1V,VDDSPD 1.8V ,VIO 1.0V,更近的电源芯片带来更好的电源布局和更短的电源传输路径。电源管理芯片通过I2C/I3C协议配置,调节电源纹波、电压和上下电时序,达到更稳定和更加省电的效果。

新增On-die ECC, 增强DRAM颗粒本身的RAS,优化DRAM的稳定性。

也就是说Non-ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒, ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒 + 2颗DRAM颗粒用作ECC,这样就进一步优化了DRAM稳定性。

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DDR5作为当前内存的发展趋势,主要应用于5G、大数据等对性能有刚需的行业领域,广泛赋能小型工作站、安防、远程医疗、高端游戏、云存储、高端计算机等。

另据了解,为赋能下游企业和广大用户、抢占行业发展的制高点,在行业公布DDR5标准后,金泰克就在为推出DDR5内存产品做准备。经研发、设计、生产、测试等多个环节的严格把关,最终打造出了金泰克的DDR5内存,并将于近期现货发售,产品值得期待。

金泰克作为一家专注数据存储20年的企业,拥有200余项自主知识产权,涵盖产品研发、制造及品控的各个环节,是一家集研发、生产和自主品牌产品营销于一体的专业存储方案提供商。

DDR5重新定义新标准,给行业和消费者带来无限可能。相信随着技术的持续导入,未来,金泰克将陆续推出更多的DDR5产品规格和技术服务,并投入到更多的应用场景中,为各行各业客户持续赋能! 

审核编辑(
王妍
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