富士电机 “Super J-MOS系列”MOSFET

       富士电机株式会社（东京都品川区、代表取缔役社长：北泽通宏）推出高水平的低损耗MOSFET“Super J-MOS系列”产品。

Super J-MOS产品照片

1．上市目的
       如今，人们对地球环境越来越关心，在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中，可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。
       其中，MOSFET注1作为电力转换过程所使用的主要装置，对其降低损耗的要求越来越高。
       此次，富士电机推出的Super J-MOS系列产品，采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构注2，可大幅度地降低损耗。
       据此，可通过提高设备的电力变换效率减少耗电，为实现低碳社会作贡献。

2．产品特点
      ・ 降低通态电阻70％注3，达到高水平的低损耗。
      ・ 结合降低开关损耗的技术，使元器件总损耗降低14％注4。

3．主要规格（代表机型）

额定电压（V）    额定电流（A）    通态电阻（Ω）                 封装                       上市时期
      600V                   20A                          0.19                   TO-220F,TO-22O               即日
      600V                   30A                          0.125                  TO-3P,TO-247              2012年4月
      600V                   47A                          0.07                    TO-3P,TO-247              2012年4月
      600V                   68A                          0.04                           TO-247                    2012年4月

4．主要用途
       ・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备；
       ・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。

注1　MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管。

注2　SJ结构：电荷非平衡Superjunction结构
       其特点是，由于是使MOSFET的耐压层的p区和n区交互存在的结构，可使n区的杂质浓度提高，所以可大幅度降低阻值。
       以往面状结构的MOSFET，由于是通过向高阻抗的n层延展电绝缘区（过流层）来确保耐压水平的，因此通态电阻无法降至一定值以下。
       而SJ结构，是通过在n区形成p区，这既可以在纵向又可在横向延展过流层，因此，即使n层阻抗下降，依然可以确保耐压水平。据此，可实现超过以往面状结构理论极限的低通态电阻。

注3、4　与本公司以往产品相比