提高电流源性能的JFET级联技术

很多工艺控制传感器（如热敏电阻器和应变桥）都需要精确的偏置电流。增加一只电流设置电阻器R1后，电压基准电路IC1就可以构成一个恒定和精确的电流源（图1）。但是，该电流源的误差与R1和IC1的精度有关，并影响着测量精度和分辨率。虽然我们可以采用精度高于大多数常用电压基准IC1的高精度电阻器，但电压基准的误差左右了该电流源的精度。制造商会尽力减小电压基准的温度灵敏度和输出电压误差，但对电源变动的敏感性仍可影响到它的精度，尤其是对于必须工作在供电电压范围很宽的工艺控制应用场合 用一个级联的JFET对—Q1和Q2构成的恒流源可以减小基准电路对供电电压波动的敏感性，并将IC1的工作电压扩展到5.5V最大额定值。另外，Q1和Q2还有效地将电流源的等效电阻从数兆欧几乎提高到千兆欧范围。在电路的Norton模型中，等效电阻代表理想电流源上的并联电阻。 当N沟道JFET的栅源偏压为0V时，就是一个工作在最大饱和漏极电流下的耗尽型器件。与需要栅极偏压才能导通的耗尽型MOSFET相比，JFET工作在默认的导通状态，需要栅极偏压来关断。当栅源电压比源电压更负时，JFET的漏极电流在关断电压下趋向零。JFET的漏极电流大致围绕其栅极偏置电流而变化：ID≈IDSS×(1+VGS/VP)2，其中ID是漏极电流，IDSS是漏极饱和电流，VGS是栅源电压，而VP是关断电压。 假定IC1的输出电压VREF保持在恒定1.8V。由于输出电压驱动Q2的栅极，IC1的输入电压VIN等于 VREF-VGS(Q2)，或1.8V-(-1.2V)=3V。因此，Q2的栅源电压就保持在其1.2V的标称关断电压上，并与电流源的微小变动保持一致性的变化。当电源电压从3V变化至30V以上时，输入电压仍能保持基本恒定，因为VREF也保持不变。级联FET结构增加了电流源的Norton等效电阻，使之超出只有电压基准和R1的情况。使用单只JFET也可以，但两只JFET的堆叠可进一步提高电路的等效阻抗。注意IC1并没有降低精度，这是因为JFET将IC1的输入电压保持在几乎恒定状态，而IC1还有效地消除了初始栅源电压变化，以及Q1和Q2引起的温度影响。 Kirchhoff电压回路由VIN、VREF和VGS(Q2)组成，其负反馈可以使漏极电流达到一个均衡偏置点，符合Q2的传输公式。Q2的漏极电流为 (VREF/R1)与IC1内部“家务管理”电流IGND之和，是恒定的。增加Q1可将Q2输出阻抗的影响降低至无关紧要的程度。调整R1的值可在一个有用范围内（200mA~5 mA）变化电路的输出电流，而Q2的饱和漏极电流是上限。如果你选择了一个有较高饱和漏极电流的JFET，一定要确保不超过Q1的最大功耗值。 注意，电路的电源电压下限必须高于电路的3V电压与传感器产生的电压降之和：ISOURCE×R2。电路的电源电压上限决不能超过ISOURCE×R2+30V。例如，当为一个1kΩ压力传感器桥R2 加上2.5 mA 电流时，电源电压范围限制为5.5V ~ 32.5V。在电源电压很宽范围内，电路输出电流的变动小于1mA（图2）。 信息来源于：电子产品世界