海力士与意法半导体无锡合资芯片厂投产

意法半导体公司（ST)和另一家大型半导体厂商海力士半导体（Hynix）昨天为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行了正式的开业典礼。这个新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片。双方表示，无锡晶圆制造厂将加快意法半导体在NAND闪存市场的前进步伐，同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的具有成本竞争力的DRAM芯片。新工厂将有助于扩大海力士的12英寸生产线的产能，加强其在全球增长速度最快的中国半导体市场上的领先地位。海力士DRAM目前在中国的销售量居第一位，据最新的iSuppli资料显示，市场份额约为47%。无锡工厂竣工后，海力士又增加了一个全球制造基地，该公司在美国俄勒冈尤金市还有一家全球制造基地。 两家公司于2005年4月为新工厂举行了奠基仪式，工厂占地面积550,000平方米，无尘洁净室达到20,000平方米，8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工艺，90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产， 80nm晶圆在12英寸生产线上生产。明年年中，两条生产线除生产现有的DRAM外，还将开始生产工艺先进的NAND闪存。在产能方面，8英寸生产线预计月产晶圆 50,000片，12英寸生产线的月产量将达到18,000片晶圆。双方将根据市场情况分配产品和存储器密度。这个合资厂的总投资额为20亿美元，意法半导体与海力士半导体的股份比例1/3：2/3，中国本地金融机构和意法半导体还为合资公司提供了联贷计划。该合资公司雇用大约2000名员工。 “在韩国与欧洲公司的同类合资公司中，这个大型合资企业可能是最大的，” 意法半导体总裁兼首席执行官Carlo Bozotti 表示，“新的合资厂将会给双方带来巨大的规模经济效益，实现双方在技术上优势互补。获得具有成本竞争力的DRAM产品，同时合作开发NAND产品，将进一步加强ST在封装级集成市场的领先地位。这项重要技术是在同一个封装内叠装多个存储器芯片，中国乃至全世界的用户利用这项技术可以提高存储器密度和设备可靠性，同时还能节省手机等消费电子以及工业应用的电路板空间。”“新的无锡工厂将是中国最大的晶圆生产厂，它进一步加强了ST在全球增长最快的半导体市场中的强有力的市场地位，”意法半导体公司副总裁及大中国区总经理柯明远评价道，“这个项目非常适合我们所作出的对中国市场的承诺，即开发适合中国本地需求的技术、产品，并帮助提高本地人员的技术能力，改善本地基础设施的技术水准，从而开发出成本低、品质高的存储器产品，以满足迅速膨胀的无线通信和消费电子的市场需求。” “手机、数码相机以及随身听等便携设备对存储容量的需求越来越高，在这种发展趋势的拉动下，2005年NAND闪存市场的增长速度达到半导体市场有史以来的最高水平，”意法半导体公司副总裁兼存储器产品部总经理Mario Licciardello表示，“12寸晶圆生产线从60 nm SLC（单级单元） 和MLC（多级单元）NAND技术快速向55nm以下节点过渡 ，将有助于我们满足市场增长，满足手机及数字消费市场用户对高性能和成本低廉的存储器解决方案的需求。” “如果不与ST合作，没有无锡市政府的支持，我们不可能建成无锡工厂。通过合资公司，海力士相信与ST和无锡市的合作关系将会得到进一步加强，新工厂有利于两家公司各自的长远发展。”海力士半导体公司董事长兼首席执行官禹义济表示，“我期望无锡工厂将成为海力士建立国际存储器公司的立足点。”“随着无锡工厂的竣工落成，海力士建成了一个连接韩国、美国、中国的全球制造网络，”海力士半导体公司负责战略企划的高级副总裁兼海力士意法半导体合资公司董事长的权五哲表示，“合资公司将是海力士维持长远竞争力的基石。” iSuppli预计今年DRAM市场的增幅将达到24.4% ，营业收入将达到309亿美元，2006年NAND市场增幅将会达到17% ，营业收入将达到126亿美元。中国是世界增长最快的半导体市场，目前中国市场占全球市场约15％。据市场调研机构的预测，中国在2008年前将会成为世界最大的半导体市场，市场份额占全球半导体市场的四分之一以上。 （摘自：中国电子制造网）　　(中国工控网提供)