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北广精仪GB/T1409-2006高频介电常数介质损耗测试仪

北广精仪GB/T1409-2006高频介电常数介质损耗测试仪

产品简介:

介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素.

产品分类:

仪器仪表 分析测试仪表 测量仪器

品牌:

北广精仪

产品介绍

摘要

介电常数与介质损耗因数是表征电介质材料在高频、音频乃至工频电场下电气性能的关键参数。本文旨在全面解析依据GB/T 1409-2006标准设计的高频/音频介电常数介质损耗测试仪的技术原理、核心构造、操作流程、性能参数、应用范围与日常维护知识,为相关领域的研究人员、质量工程师和技术人员提供一份详尽的技术参考与应用指南。

引言

在现代电气电子、航空航天、新材料研发等关键领域,从传统的陶瓷、云母、聚合物,到先进的复合材料、纳米材料,其在高频电路、绝缘系统、储能元件中的表现,很大程度上取决于材料本身的介电特性。介电常数(ε)反映了材料储存电场能量的能力,而介质损耗角正切(tanδ)则表征了材料在电场中因极化弛豫、电导等原因导致能量损耗的程度。精确测量这两个参数,对于评估材料的绝缘性能、信号传输损耗、高频器件的选型与设计至关重要。国家标准GB/T 1409-2006《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法》 为此类测试提供了权威的方法指导。符合此标准设计的测试仪器,是保障测量结果准确性与可比性的基础。本文将围绕北京北广精仪仪器设备有限公司提供的GDAT-A型高频介电常数介质损耗测试仪及其配套装置,展开系统性论述。

第一部分:测试原理与核心技术

1.1 标准依据与方法概述

GB/T 1409-2006 标准涵盖了从工频、音频到高频(米波波段)频率范围内,固体、液体绝缘材料相对介电常数和介质损耗因数的多种测量方法推荐。对于高频测量,谐振法因其较高的灵敏度和精度而被广泛采用。标准中详细规定了测试电路、试样要求、环境条件和计算步骤,确保不同实验室间的数据具有可比性。本文所述的测试仪即是基于该标准推荐的高频谐振法(Q表法)原理设计制造的。

1.2 高频谐振法(Q表法)原理

该仪器的核心测试原理为高频谐振法。其基本电路是由一个高频信号发生器、一个已知高品质因数的电感线圈(L)、一个标准可变空气电容器(C_s)和由被测材料构成的测试电容器(C_x)共同构成的串联或并联谐振回路。

当调节信号源的频率(f)或可变电容器的电容量(C_s),使LC回路发生电压谐振时,回路中的电流或电容器两端的电压达到最大值,此时的频率为谐振频率f0。品质因数Q值定义为谐振时回路中储存的能量与每个周期内消耗能量之比的2π倍,是衡量谐振回路选频特性与能量损耗的重要参数。

对于被测材料,将其制成特定形状(通常为平板状)置于测试电极之间,形成以该材料为介质的电容器C_x。通过测量在接入试样前后,为维持回路谐振状态,标准可变电容器的变化量,可以计算出试样的介电常数;通过测量接入试样前后,回路Q值的变化或谐振曲线的宽度,可以计算出试样的介质损耗角正切tanδ。

1.3 仪器的技术实现与创新

基于上述原理,GDAT-A型高频介电常数介质损耗测试仪 采用了一系列现代电子与计算机技术以实现自动化、高精度测量:

  • 数字频率合成与锁定技术:仪器采用DDS信号源,能够产生频率范围宽、稳定性高的测试信号,并通过频率数字锁定技术,确保测试点频率的精确设定与稳定输出。

  • 智能化测量与控制:以单片计算机作为控制与测量核心,实现了谐振点的自动搜索、频率的步进与锁定。系统能够根据测量条件自动切换Q值量程,并自动判断谐振状态,显著简化了操作流程,降低了对操作人员经验的依赖。

  • 优化的调谐回路设计:仪器改进了传统Q表的调谐回路,最大限度地降低了回路自身的残余电感和分布电容,提高了测量的基础精度,尤其在高频段减少了系统误差。

  • 自动稳幅技术:保留了经典设计中的自动稳幅功能,确保信号源输出幅度不随频率和负载的变化而波动,为Q值的精确测量提供了稳定的激励条件。

第二部分:仪器系统构成与核心组件

完整的测试系统由GDAT-A型高频Q表主机BH916型介电常数测试装置(测微电极夹具)两大部分构成。

2.1 GDAT-A型高频Q表主机

主机是整个系统的大脑,负责信号发生、数据采集、处理和显示。其面板包含以下主要部分(依据文档2图示与描述):

  • 显示屏:用于实时显示当前工作频率、Q值、电感量、等效电容等参数。

  • 触摸控制按键:包括“频率搜索”、“频率暂停”、“频率加”、“频率减”、“电感切换+”、“电感切换-”等,提供直观的人机交互

  • 通道选择波段开关:位于左下方,通常有左、中、右三个档位,用于匹配不同的测试电感范围,确保仪器工作在最佳状态。

  • 辅助电容调节旋钮:位于右下方,顺时针旋转到头时辅助电容最小。用于在特定情况下微调谐振点,尤其在手动精细调谐时使用。

2.2 BH916型介电常数测试装置(测微电极夹具)

这是实现材料测试的关键机械部件,是一个高精度的测微装置,由两个核心的测微电容器并联构成:

  • 平板电容器(测量电容)

    • 功能:用于夹持被测样品。其极片为平行板结构,极片直径通常有Φ50mm和Φ25.4mm两种可选,以适应不同尺寸的样品。

    • 调节机构:与一个高精度螺旋测微杆(千分尺)相连,用于精确调节两极片间的距离。极片平行度是保证测量准确度的关键,要求误差不超过0.02mm。通过读取测微杆的刻度值D,可以精确得到极片间距或样品厚度。

  • 圆筒电容器(线性可变微调电容)

    • 功能:这是一个线性度极高的可变空气电容器,主要用于在测量介质损耗时,通过改变其电容量来测量谐振曲线的宽度(带宽法)。

    • 结构:由两个同轴圆筒构成,通过另一个高精度的螺旋测微杆改变动筒与定筒之间的重叠长度,从而线性地改变电容量。其线性率是重要指标,通常为0.33 pF/mm ±0.05 pF/mm,即测微杆每移动1毫米,电容量变化约0.33皮法。其轴心同心度误差要求不超过0.1mm。

  • 连接与安装:该装置通过支撑板和底板固定,并配有标准间距(25mm±1mm)的插头,可直接与主机背板的相应插座连接,构成谐振回路的一部分。整个夹具的自身损耗(夹具损耗角正切值) 要求极低,在1MHz时应≤4×10⁻⁴,以确保对低损耗材料测量的准确性。

第三部分:详细性能参数与技术指标

为确保信息的完整性并便于查阅,此处将文档中列出的核心性能参数以表格形式呈现,不作改动。

3.1 GDAT-A高频Q表主机技术指标

项目

参数指标

信号源类型

DDS数字合成信号

频率范围

10kHz - 70MHz / 10kHz - 100MHz / 100kHz - 160MHz (可选)

Q值测量范围

2 ~ 1023

Q值量程分档

30, 100, 300, 1000,自动换档或手动换档

电感测量范围

4.5nH - 10mH (160MHz型号: 1nH - 140mH)

电容直接测量范围

1pF ~ 460pF (160MHz型号: 1pF - 25uF)

主电容调节范围

30pF ~ 540pF (160MHz型号: 17pF - 240pF)

电容准确度

150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%

频率指示误差

≤ 1×10⁻⁶ ±1个字

Q值合格指示预置功能

范围:5 ~ 1000

正常工作条件

环境温度:0°C ~ +40°C;相对湿度:<80%;电源:220V ±22V, 50Hz ±2.5Hz

其他

消耗功率:约25W;净重:约7kg;外形尺寸(LxWxH):380mm x 132mm x 280mm

3.2 BH916测试装置(测微电极夹具)性能参数

项目

参数指标

平板电容器极片尺寸

Φ50mm / Φ25.4mm (可选)

平板电容器极片间距调节

可调范围≥15mm,分辨率0.001mm (测微杆)

夹具插头间距

25mm ± 0.01mm

圆筒电容器线性率

0.33 pF/mm ± 0.05 pF/mm

圆筒电容器长度调节

范围≥0~20mm,分辨率0.001mm (测微杆)

夹具自身损耗角正切(tanδ)

≤ 4 × 10⁻⁴ (测试频率1MHz时)

关键机械精度

平板二极片平行度 ≤ 0.02mm;圆筒电容器轴心同心度误差 ≤ 0.1mm

第四部分:标准测试操作步骤详解

以下操作步骤综合了文档1和文档2的说明,以测量流程为主线进行梳理。

4.1 测试前的准备工作

  1. 环境确认:确保实验室环境满足标准要求(温度23±2℃,相对湿度50±5%为佳,至少满足仪器工作条件:0-40°C,湿度<80%)。

  2. 样品制备:根据GB/T1409-2006,将待测材料制备成表面平整、清洁、厚度均匀的圆形或方形试样,厚度通常为1-3mm,直径应略大于电极直径。测量前需对试样进行清洁、干燥等预处理。

  3. 仪器连接与开机:将BH916测试装置的插头牢固连接到GDAT-A主机对应的Q表插座上。根据预估的测试频率范围,选择合适的标准电感线圈,安装在主机指定的电感接线柱上。连接电源,预热仪器15-30分钟。

4.2 介电常数(ε)测量步骤

  1. 初始间距归零:旋转平板电容器的测微杆,使上下两个电极极片完全接触(注意力度,避免损坏)。记录此时测微杆上的刻度读数,记为 D₀

  2. 安装样品:松开电极,将准备好的试样平整地放入上下电极之间。缓慢旋转平板电容器的测微杆,使两极片刚刚夹住样品(手感需一致,避免过紧或过松)。记录此时新的刻度读数,记为 D₁。则试样厚度 t = D₁ - D₀

  3. 设置辅助电容:将主机右下方“辅助电容”旋钮顺时针旋转到底(电容最小位置)。

  4. 选择电感与通道:开机后,在主机触摸屏上,通过“电感切换+”或“电感切换-”按钮,选择与实际安装电感值匹配的档位。同时,根据屏幕提示,调节左下方的“通道选择”波段开关至对应的通道(通常为左、中、右之一),使仪器识别当前谐振回路条件。

  5. 自动搜索谐振:按下“频率搜索”键,仪器将自动在预设范围内扫描频率,寻找并锁定使回路Q值达到最大的谐振频率点。此时屏幕显示的Q值为最大值,频率为谐振频率f₀。若Q值未达预期,可再次搜索或手动微调频率(使用“频率+”、“频率-”键)。

  6. 测量无样品时的电容补偿值:在保持频率不变(切记不要触碰频率键)的情况下,小心地将平板电容器中的样品取出。此时由于电容变化,回路失谐,Q值下降。然后,仅调节平板电容器的测微杆,使回路重新达到谐振(Q值再次最大)。记录此时测微杆的新刻度读数,记为 D₃。则电容变化量对应的间距变化为 ΔD = D₃ - D₀

  7. 计算介电常数:对于平板电极,介电常数ε(相对介电常数εᵣ)可近似由以下公式计算:εᵣ = t / (ΔD)。即,εᵣ = (D₁ - D₀) / (D₃ - D₀)。更精确的计算需考虑边缘效应,仪器或后续数据处理软件可能会进行修正。

4.3 介质损耗角正切(tanδ)测量步骤(谐振曲线变窄法/带宽法)

测量tanδ通常需要在测量ε的基础上,利用圆筒电容器的线性变化来测量谐振曲线的宽度。

  1. 准备与初次谐振:将样品夹在平板电极间,间距调为样品厚度t(即读数为D₁)。辅助电容旋钮调至最小。开机并选择正确的电感和通道。按下“频率搜索”使回路谐振,记录此时屏幕显示的等效电容读数(或状态),记为 C₁。同时记录当前的Q值,记为 Q₀

  2. 测量有样品时的谐振曲线宽度

    • 将圆筒电容器的测微杆调节到中间位置(例如10mm处)。

    • 确保回路处于谐振状态(Q=Q₀)。然后,缓慢顺时针旋转圆筒电容器的测微杆,同时观察Q值读数。当Q值下降到原来Q₀值的一半(即Q = Q₀/2)时,立即停止,记录圆筒测微杆上的刻度读数。

    • 再将圆筒电容器逆时针旋转,经过谐振点后继续旋转,直至Q值再次下降到Q₀/2,记录此时的刻度读数。

    • 计算这两个读数之差的绝对值,记为 M₁(单位:mm)。这个M₁正比于有样品时谐振曲线的宽度。

  3. 测量无样品时的谐振曲线宽度

    • 取出平板电极间的样品,并调节平板测微杆,使其恢复至夹住样品时的相同间距(即读数为D₁,此时电极间为空气)。

    • 将圆筒电容器调回中间位置(如10mm处)。再次“频率搜索”使回路谐振(此时频率会与有样品时不同)。记录此时的等效电容读数,记为 C₂,以及谐振Q值(可能不同于Q₀,可记为Q₀‘)。

    • 重复步骤2的操作:顺时针和逆时针调节圆筒电容,分别找到Q值下降到Q₀‘/2的点,记录两个刻度读数,其差的绝对值记为 M₂

  4. 计算介质损耗角正切:介质损耗角正切tanδ可由下式计算:

    tanδ = K * (M₁ - M₂) / [2 * (C₁ - C₂)]

    其中,K 是圆筒电容器的线性变化率,即单位长度变化对应的电容变化量,通常为 0.33 pF/mm(具体值以出厂校准值为准)。C₁和C₂是步骤中记录的等效电容读数(单位pF)。M₁和M₂的单位是mm。

第五部分:应用领域与材料范围

该测试系统适用于GB/T1409-2006标准所涵盖的各类固体和液体绝缘材料,在科研、质检、新品研发中具有广泛应用:

  • 无机非金属材料:如氧化铝、氮化铝、钛酸钡等电瓷、装置瓷、电容器陶瓷;石英玻璃;云母等。

  • 高分子聚合物材料:如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚酰亚胺(PI)、环氧树脂、聚苯乙烯(PS)、橡胶等塑料、橡胶、薄膜、胶带

  • 复合材料:包括树脂基复合材料、陶瓷基复合材料等,特别是用于高频电路板的覆铜板(FR-4、高频板材如PTFE基材) 的介电性能评估。

  • 涂层与薄膜材料:各种功能性涂层、绝缘漆、电容器薄膜的介电性能测量。

  • 高校与科研院所:用于材料科学、电气工程、电子科学与技术、物理学等专业的教学实验与前沿研究。

第六部分:仪器的维护、保养与注意事项

6.1 日常使用注意事项

  1. 预热:仪器开机后需预热足够时间(通常15-30分钟),待电路稳定后再进行测量,以保证精度。

  2. 谐振时间:避免让回路长时间处于强谐振状态,以免信号源功率器件过热。测量完成后及时退出或暂停。

  3. 样品安装:放置和取出样品时动作轻柔,避免碰擦电极表面,影响极片平行度。夹持样品力度要均匀适中。

  4. 频率与电感匹配:不同电感对应不同的最佳频率范围。应参考说明书提供的建议(如文档2中表格:25mH电感建议在100kHz手动搜频,5mH至0.5uH电感可在较高频率自动搜频等),选择合适的电感以获得较高的Q值和测量灵敏度。当自动搜索效果不佳时,应切换到手动模式精细调节频率和辅助电容。

  5. 环境清洁:保持测试夹具和电极的清洁,防止灰尘、污渍影响测量。可用无水乙醇和脱脂棉轻轻擦拭,待完全干燥后使用。

6.2 定期保养与校准

  1. 机械精度检查:BH916测试装置是高精度机械部件,应避免剧烈振动和碰撞。定期检查:

    • 平板电容器两极片的平行度(应≤0.02mm)。

    • 圆筒电容器的轴心同心度。

    • 两个测微杆的移动是否顺滑,分辨率是否达到0.001mm。

  2. 电气性能验证:定期使用已知介电性能的标准样品(如标准陶瓷片、特氟龙片)进行测试,验证仪器测量结果的准确性。

  3. 圆筒电容器线性率校验:如需精密校验,可使用高精度电容测量仪(分辨率±0.01pF),测量圆筒电容器从0mm到20mm每隔1mm位置的电容量,检查其变化是否符合线性率0.33pF/mm ±0.05pF/mm的指标。

  4. 专业维护:仪器出现故障或指标异常时,不应自行拆卸维修。应联系厂家或专业技术人员进行处理。北京北广精仪仪器设备有限公司提供的联系方式为:电话 010-57432088,王春婷 18911397542。

第七部分:与相关电性能测试仪器的配套

介电常数与介质损耗测试是材料电性能评估的一部分。在实际研发和质检中,常需进行多项电性能测试。北广精仪公司可提供完整的电性能测试解决方案,相关仪器包括(基于文档1列表):

  • 电压击穿试验仪:用于测量材料的介电强度(击穿场强)。

  • 体积表面电阻测定仪:用于测量材料的体积电阻率和表面电阻率。

  • 导体/半导体电阻率测定仪:用于测量导体和半导体材料的电阻率。

  • 耐电弧试验仪与耐电痕化指数测定仪:用于评估材料的耐电弧和抗漏电起痕性能。

  • 滑动摩擦磨损试验仪:用于评估材料的摩擦学性能。

这些仪器与介电常数测试仪共同构成了对绝缘材料、电子材料、电工材料综合性能的评估体系。

结语

GB/T1409-2006高频介电常数介质损耗测试仪 是现代材料研究与质量控制的精密设备。深入理解其基于高频谐振法的测试原理,熟练掌握由GDAT-A高频Q表BH916测微电极夹具构成系统的操作方法,严格遵守标准流程,并注重日常维护,是获得准确、可靠、可重复的介电性能数据的关键。本文通过对仪器原理、结构、参数、操作、应用和维护的系统性阐述,希望能为使用者提供有价值的指导,助力于新材料开发、产品性能优化与产品质量保障工作的有效开展。


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