VARIAN E17118050 YOKE, DOSE MAGNET

• 型号：VARIAN E17118050 YOKE, DOSE MAGNET


• 数量：5


• 制造商：　厦门兴锐达自动化设备有限公司


• 有效期：2019/2/1 0:00:00

VWR 2.8L Ultrasonic Cleaner, Digital Timer, 24 x 14 x 10 cm Tank, PN 97043-964

CTI Helix Technology 8011 Three Phase Compressor  Cold Head Controller

VARIAN E17118050 YOKE, DOSE MAGNET

Lot of 10 HP NVIDIA QuadroFX 1700 512MB DDR2 PCIe x16 454317-001 Video Card

富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。

MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的内存器件的选择，除了可让终端应用产品的整体体积变小之外，更可让整个系统在写入数据时将功耗降至最低，以延长系统工作时间。

智能可穿戴设备是当下的市场热点，并以惊人的速度快速渗透和发展。智能可穿戴设备应用涵盖范围广阔且种类繁多，包括智能眼镜、头戴式显示器、隐蔽式助听器和智能脉搏计等，以及可记录卡路里消耗量和运算数据的活动记录器如智能手环等。而在这些众多智能可穿戴设备当中，持续的实时记录数据亦是必备的。

image001.jpg

图一：SOP封装及WL-CSP外观

与一般的非挥发性内存如EEPROM和闪存（Flash）等相比，富士通FRAM可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，它的写入速度为前者的1000倍以上，而功耗仅为其1/1000-1/100000，FRAM的使用寿命更是超过EEPROM和Flash10000倍以上，是实时存储数据的理想选择。

image002.jpg

图二：SOP封装及WL-CSP封装体积比较

为了在更广泛的应用中进一步扩大FRAM快速读写、高可靠性和低功耗的特点，富士通半导体在为1MB FRAM器件采用SOP封装之后，更推出了其全新WL-CSP封装版本（见图一）。在采用WL-CSP封装后，MB85RS1MT的体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，比SOP封装体积小了95%（见图二）---其面积比SOP封装小了77%（见图三），其厚度仅相当于信用卡厚度的一半（见图四）。

image003.jpg

图三：SOP封装及WL-CSP封装面积比较

image004.jpg

图四：SOP封装及WL-CSP封装厚度比较

低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性内存，FRAM写入数据的速度也比较快，因此可在写入数据时大幅降低功耗（如图五）。基于此原因，为了实时记录而需经常性写入数据的穿戴式装置在采用此FRAM后，可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。

image005.jpg

图五：写入时功耗量比较

富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。此次采用WL-CSP封装的MB85RS1MT器件的推出，则将其应用领域延展到智能可穿戴设备应用当中，为客户提供更小、更薄和功能更丰富的产品，并大幅延长待机时间。

DAI NIPPON SCREEN (DNS) 2-F1-81050 BOWL, AIR RING DEVELOP 80B

VARIAN E17118050 YOKE, DOSE MAGNET

APPLIED MATERIALS   1410-00715 HEATER JACKET, UPPER ZONE 2, CH.C, ITEM

VARIAN E17118050 YOKE, DOSE MAGNET

• 电话：0592-5580706/13295922579
• 传真：0592-5361191
• email：LJY_05228@163.com